Tuning the Fermi Level of SiO2-Supported Single-Layer Graphene by Thermal Annealing

Publikation: Bidrag til tidsskrift › Tidsskriftartikel › Forskning › fagfællebedømt

  • Amirhasan Nourbakhsh
  • Mirco Cantoro
  • A. Klekachev
  • Francesca Clemente
  • B. Sorée
  • Marleen H. van der Veen
  • Vosch, Tom André Jos
  • A. Stesmans
  • Bert Sels
  • Stefan De Gendt
OriginalsprogEngelsk
TidsskriftJournal of Physical Chemistry C
Vol/bind114
Udgave nummer15
Sider (fra-til)6894-6900
Antal sider7
ISSN1932-7447
DOI
StatusUdgivet - 22 apr. 2010

Links

ID: 32174391